каскад с общим эмиттером

Ответ от Mr.Sergio[гуру]
В простейшем каскаде с ОЭ входной сигнал подаётся на базу, а цепь эмиттера подключена к общему проводу. Каскады с ОЭ обеспечивают усиление как по току, так и по напряжению. Ток коллектора очень слабо зависит от напряжения на нём, поэтому транзистор со стороны со стороны коллектора в большинстве случаев можно рассматривать как генератор тока Iк с очень большим выходным сопротивлением.
Крутизна транзистора S=1/(rэ+Rэ) , где rэ=fт/Iэ - диференциальное сопротивление эмиттерного перехода - выступает в качестве последовательного сопротивления во всех схемах, увеличивает входное и выходное сопротивление транзистора.
Коэффициент усиления по напряжению без учёта сопротивления нагрузки Rн и сопротивления коллектора rк
Кu= -S Rвх= - Rк/(rэ+Rэ) .
Знак "минус" говорит об инверсии сигнала. Это справедливо при Rк много меньше Rн и rк. В противном случае необходимо учитывать их шунтирующее влияние.
rк=1/h22э - выходное сопротивление коллектора;
h22э - выходная проводимость.
Соответственно при отсутствии Rэ Кu= -Rк/rэ.
Как видно из приведённой формулы, каскаду с ОЭ (без принятия дополнительных мер) свойственны большие нелинейные искажения, т. к. в знаменателе есть нелинейная величина rэ, имеющая сложную зависимость от тока коллектора.
Уменьшить нелинейные эффекты можно по следующим направлениям:
- уменьшение влияния rэ путём установки последовательно с ним резистора Rэ (местная ООС по току) ;
- компенсация влияния rэ путём установки последовательно с Rк одного или нескольких диодов динамическое сопротивление которых равно: rд=fт/Iк, тогда
Кu=(Rк+nrд) /(rэ+Rэ) , где n - количество диодов;
- выбор оптимального тока коллектора, при котором минимальны изменения h21э;
- правильный выбор рабочей точки;
- применение местной ООС по напряжению, которая одновременно уменьшает влияние ёмкости Ск, так как шунтирует её:
- выбор оптимального сопротивления источника (например, подбором сопротивления Rп последовательно со входом;
- уменьшение влияния rэ путём замены Rк генератора тока (за счёт стабилизации тока коллектора) ;
- уменьшение нелинейных эффектов за счёт применения динамической нагрузки;
- взаимокомпенсация нелинейных эффектов за счёт встречной динамической нагрузки.
Усилительные свойства транзисторов сохраняются до напряжения насыщения, которое может быть в пределах от 0.2...0.3В до нескольких вольт в зависимости от тока коллектора. Например, для маломощных транзисторов при токах больше 10...20 мА насыщение может наступать при Uкэ=(1...2)В.
Напряжение Uбэ зависит от температуры и изменяется на -2.1 мВ/?С. Поэтому ток коллектора увеличивается в 10 раз при увеличении Т? на 30?С. Такая нестабильность делает смещение неработоспособным, т. к. даже небольшое изменение температуры выводит транзистор в режим насыщения или отсечки.
Входное сопротивление каскада:
Rвх=Rп+rб+h21э (rэ+Rэ) и имеет ёмкостный характер.
При отсутствии Rп и Rэ и если пренебречь rб, то
Rвх=h21э rэ=h21э25/Iк (мА) , Ом